Name: SI7772DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7772DP-T1-GE3TR-ND
Price: 1957 KRW
Availability: InStock

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SI7772DP-T1-GE3
DigiKey 제품 번호	SI7772DP-T1-GE3TR-ND - 테이프 및 릴(TR) SI7772DP-T1-GE3CT-ND - 컷 테이프(CT) SI7772DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Vishay Siliconix
제조업체 제품 번호	SI7772DP-T1-GE3
제품 요약	MOSFET N-CH 30V 35.6A PPAK SO-8
제조업체 표준 리드 타임	38주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 30 V 35.6A(Tc) 3.9W(Ta), 29.8W(Tc) 표면 실장 PowerPAK® SO-8
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	SI7772DP-T1-GE3 모델

제품 특성

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빈 특성 표시

종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 2.5V @ 250µA
제조업체 Vishay Siliconix	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 28 nC @ 10 V
계열 SkyFET®, TrenchFET®	Vgs(최대) ±20V
포장 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 1084 pF @ 15 V
부품 현황 활성	내전력(최대) 3.9W(Ta), 29.8W(Tc)
FET 유형 N채널	작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ)
기술 MOSFET(금속 산화물)	실장 유형 표면 실장
드레인 - 소스 전압(Vdss) 30 V	공급 장치 패키지 PowerPAK® SO-8
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 35.6A(Tc)	패키지/케이스 PowerPAK® SO-8
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V	기준 제품 번호 SI7772
Rds On(최대) @ Id, Vgs 13m옴 @ 15A, 10V

제품 정보 오류 보고

문서 및 미디어

환경 및 수출 등급 분류

추가 리소스

대체품(5)

부품 번호	제조업체	주문 가능 수량	DigiKey 제품 번호	단가	대체품 유형
CSD17327Q5A	Texas Instruments	1,565	296-CSD17327Q5ACT-ND	₩2,523.00000	유사
RRU1LAM4STR	Rohm Semiconductor	3,428	RRU1LAM4SCT-ND	₩1,147.00000	유사
RS1E130GNTB	Rohm Semiconductor	2,455	RS1E130GNTBCT-ND	₩1,468.00000	유사
RS1E150GNTB	Rohm Semiconductor	2,225	RS1E150GNTBCT-ND	₩1,452.00000	유사
RXH070N03TB1	Rohm Semiconductor	2,549	RXH070N03TB1CT-ND	₩2,324.00000	유사

재고: 2,820

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테이프 및 릴(TR)

제조업체 표준 포장

SI7772DP-T1-GE3