SI5515DC-T1-GE3 Vishay Siliconix | FET, MOSFET 어레이

SI5515DC-T1-GE3은(는) 단종되었으며 더 이상 제조되지 않습니다.

사용 가능한 대체품:

직접

Vishay Siliconix

재고 있음: 24,735

단가 : ₩1,987.00000

유사

Rohm Semiconductor

재고 있음: 2,428

단가 : ₩1,238.00000

보여진 사진은 제품을 대표적으로 묘사하는 사진입니다. 정확한 규격은 제품의 데이터시트에서 확인하셔야 합니다.

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET FET, MOSFET 어레이
제조업체	Vishay Siliconix
계열	TrenchFET®
포장	테이프 및 릴(TR)
부품 현황	단종
기술	MOSFET(금속 산화물)
구성	N 및 P 채널
FET 특징	논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)	20V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	4.4A, 3A
Rds On(최대) @ Id, Vgs	40m옴 @ 4.4A, 4.5V
Vgs(th)(최대) @ Id	1V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	7.5nC(4.5V)
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	-
전력 - 최대	1.1W
작동 온도	-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형	표면 실장
패키지/케이스	8-SMD, 플랫 리드(Lead)
공급 장치 패키지	1206-8 ChipFET™
기준 제품 번호	SI5515