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SI4947ADY-T1-E3은(는) 단종되었으며 더 이상 제조되지 않습니다.
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보여진 사진은 제품을 대표적으로 묘사하는 사진입니다. 정확한 규격은 제품의 데이터시트에서 확인하셔야 합니다.
SI4947ADY-T1-E3 | |
|---|---|
DigiKey 제품 번호 | SI4947ADY-T1-E3TR-ND - 테이프 및 릴(TR) |
제조업체 | |
제조업체 제품 번호 | SI4947ADY-T1-E3 |
제품 요약 | MOSFET 2P-CH 30V 3A 8SOIC |
고객 참조 번호 | |
제품 세부 정보 | MOSFET - 어레이 30V 3A 1.2W 표면 실장 8-SOIC |
EDA/CAD 모델 | SI4947ADY-T1-E3 모델 |
제품 특성
유형 | 제품 요약 | 모두 선택 |
|---|---|---|
종류 | ||
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | ||
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 단종 | |
기술 | MOSFET(금속 산화물) | |
구성 | 2 P 채널(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 80m옴 @ 3.9A, 10V | |
Vgs(th)(최대) @ Id | 1V @ 250µA(최소) | |
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs | 8nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 1.2W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면 실장 | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | |
공급 장치 패키지 | 8-SOIC | |
기준 제품 번호 |
단종
