설정
빠른 배송
무료 배송
Incoterms
결제 유형
Marketplace 제품
SI4900DY-T1-GE3은(는) 단종되었으며 더 이상 제조되지 않습니다.
사용 가능한 대체품:
등가 파라미터
유사
유사
유사
유사
보여진 사진은 제품을 대표적으로 묘사하는 사진입니다. 정확한 규격은 제품의 데이터시트에서 확인하셔야 합니다.
SI4900DY-T1-GE3 | |
|---|---|
DigiKey 제품 번호 | SI4900DY-T1-GE3TR-ND - 테이프 및 릴(TR) SI4900DY-T1-GE3CT-ND - 컷 테이프(CT) SI4900DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
제조업체 | |
제조업체 제품 번호 | SI4900DY-T1-GE3 |
제품 요약 | MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC |
고객 참조 번호 | |
제품 세부 정보 | MOSFET - 어레이 60V 5.3A 3.1W 표면 실장 8-SOIC |
규격서 | 규격서 |
제품 특성
유형 | 제품 요약 | 모두 선택 |
|---|---|---|
종류 | ||
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | ||
포장 | 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel® | |
부품 현황 | 단종 | |
기술 | MOSFET(금속 산화물) | |
구성 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.3A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 58m옴 @ 4.3A, 10V | |
Vgs(th)(최대) @ Id | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs | 20nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds | 665pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 3.1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면 실장 | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | |
공급 장치 패키지 | 8-SOIC | |
기준 제품 번호 |
단종
대한민국