SI4900DY-T1-GE3
DigiKey 제품 번호	SI4900DY-T1-GE3TR-ND - 테이프 및 릴(TR) SI4900DY-T1-GE3CT-ND - 컷 테이프(CT) SI4900DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Vishay Siliconix
제조업체 제품 번호	SI4900DY-T1-GE3
제품 요약	MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC
고객 참조 번호
제품 세부 정보	MOSFET - 어레이 60V 5.3A 3.1W 표면 실장 8-SOIC
규격서	규격서

종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET FET, MOSFET 어레이	Rds On(최대) @ Id, Vgs 58m옴 @ 4.3A, 10V
제조업체 Vishay Siliconix	Vgs(th)(최대) @ Id 3V @ 250µA
계열 TrenchFET®	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 20nC(10V)
포장 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 665pF @ 15V
부품 현황 단종	전력 - 최대 3.1W
기술 MOSFET(금속 산화물)	작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ)
구성 2 N-Chan(이중)	실장 유형 표면 실장
FET 특징 논리 레벨 게이트	패키지/케이스 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)
드레인 - 소스 전압(Vdss) 60V	공급 장치 패키지 8-SOIC
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 5.3A	기준 제품 번호 SI4900

부품 번호	제조업체	주문 가능 수량	DigiKey 제품 번호	단가	대체품 유형
SI4900DY-T1-E3	Vishay Siliconix	195	SI4900DY-T1-E3CT-ND	₩2,920.00000	등가 파라미터
AO4828	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	0	785-1062-2-ND	₩392.28500	유사
SH8K32GZETB	Rohm Semiconductor	4,288	SH8K32GZETBCT-ND	₩3,746.00000	유사
STS4DNF60L	STMicroelectronics	7,038	497-3226-1-ND	₩4,479.00000	유사
STS5DNF60L	STMicroelectronics	1,366	497-15672-1-ND	₩2,721.00000	유사

SI4900DY-T1-GE3