Name: SI4816BDY-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4816BDY-T1-E3TR-ND
Price: 3868 KRW
Availability: InStock

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SI4816BDY-T1-E3
DigiKey 제품 번호	SI4816BDY-T1-E3TR-ND - 테이프 및 릴(TR) SI4816BDY-T1-E3CT-ND - 컷 테이프(CT) SI4816BDY-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Vishay Siliconix
제조업체 제품 번호	SI4816BDY-T1-E3
제품 요약	MOSFET 2N-CH 30V 5.8A/8.2A 8SOIC
제조업체 표준 리드 타임	38주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	MOSFET - 어레이 30V 5.8A, 8.2A 1W, 1.25W 표면 실장 8-SOIC
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	SI4816BDY-T1-E3 모델

제품 특성

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빈 특성 표시

종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET FET, MOSFET 어레이	Rds On(최대) @ Id, Vgs 18.5m옴 @ 6.8A, 10V
제조업체 Vishay Siliconix	Vgs(th)(최대) @ Id 3V @ 250µA
계열 LITTLE FOOT®	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 10nC(5V)
포장 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	전력 - 최대 1W, 1.25W
부품 현황 활성	작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ)
기술 MOSFET(금속 산화물)	실장 유형 표면 실장
구성 2 N 채널(하프브리지)	패키지/케이스 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)
FET 특징 논리 레벨 게이트	공급 장치 패키지 8-SOIC
드레인 - 소스 전압(Vdss) 30V	기준 제품 번호 SI4816
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 5.8A, 8.2A