SI4622DY-T1-GE3은(는) 단종되었으며 더 이상 제조되지 않습니다.
사용 가능한 대체품:

유사


Vishay Siliconix
재고 있음: 3,722
단가 : ₩3,868.00000
규격서

유사


Infineon Technologies
재고 있음: 7,598
단가 : ₩1,911.00000
규격서

유사


Diodes Incorporated
재고 있음: 0
단가 : ₩1,376.00000
규격서

유사


Diodes Incorporated
재고 있음: 35,864
단가 : ₩1,850.00000
규격서

유사


onsemi
재고 있음: 1,950
단가 : ₩1,987.00000
규격서

유사


onsemi
재고 있음: 10,535
단가 : ₩1,819.00000
규격서

유사


Infineon Technologies
재고 있음: 54,052
단가 : ₩1,942.00000
규격서

유사


Diodes Incorporated
재고 있음: 3,774
단가 : ₩2,354.00000
규격서

유사


Diodes Incorporated
재고 있음: 506
단가 : ₩2,568.00000
규격서
MOSFET - 어레이 30V 8A 3.3W, 3.1W 표면 실장 8-SOIC
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SI4622DY-T1-GE3

DigiKey 제품 번호
SI4622DY-T1-GE3TR-ND - 테이프 및 릴(TR)
제조업체
제조업체 제품 번호
SI4622DY-T1-GE3
제품 요약
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
고객 참조 번호
제품 세부 정보
MOSFET - 어레이 30V 8A 3.3W, 3.1W 표면 실장 8-SOIC
규격서
 규격서
제품 특성
유사 제품 검색
빈 특성 표시
종류
Vgs(th)(최대) @ Id
2.5V @ 1mA
제조업체
Vishay Siliconix
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
60nC(10V)
계열
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
2458pF @ 15V
포장
테이프 및 릴(TR)
전력 - 최대
3.3W, 3.1W
부품 현황
단종
작동 온도
-55°C ~ 150°C(TJ)
기술
MOSFET(금속 산화물)
실장 유형
표면 실장
구성
2 N-Chan(이중)
패키지/케이스
8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)
드레인 - 소스 전압(Vdss)
30V
공급 장치 패키지
8-SOIC
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
8A
기준 제품 번호
Rds On(최대) @ Id, Vgs
16m옴 @ 9.6A, 10V
환경 및 수출 등급 분류
제품 관련 질문 및 답변
추가 리소스
대체품(9)
부품 번호제조업체 주문 가능 수량DigiKey 제품 번호 단가 대체품 유형
SI4816BDY-T1-GE3Vishay Siliconix3,722SI4816BDY-T1-GE3CT-ND₩3,868.00000유사
BSO220N03MDGXUMA1Infineon Technologies7,598BSO220N03MDGXUMA1CT-ND₩1,911.00000유사
DMG4800LSD-13Diodes Incorporated0DMG4800LSD-13DICT-ND₩1,376.00000유사
DMN3024LSD-13Diodes Incorporated35,864DMN3024LSD-13DICT-ND₩1,850.00000유사
FDS6912Aonsemi1,950FDS6912ACT-ND₩1,987.00000유사
단종
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