Name: SI4599DY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4599DY-T1-GE3TR-ND
Price: 1920 KRW
Availability: InStock

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SI4599DY-T1-GE3
DigiKey 제품 번호	SI4599DY-T1-GE3TR-ND - 테이프 및 릴(TR) SI4599DY-T1-GE3CT-ND - 컷 테이프(CT) SI4599DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Vishay Siliconix
제조업체 제품 번호	SI4599DY-T1-GE3
제품 요약	MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SOIC
제조업체 표준 리드 타임	15주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	MOSFET - 어레이 40V 6.8A, 5.8A 3W, 3.1W 표면 실장 8-SOIC
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	SI4599DY-T1-GE3 모델

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET FET, MOSFET 어레이
제조업체	Vishay Siliconix
계열	TrenchFET®
포장	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®
부품 현황	활성
기술	MOSFET(금속 산화물)
구성	N 및 P 채널
FET 특징	논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)	40V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	6.8A, 5.8A
Rds On(최대) @ Id, Vgs	35.5m옴 @ 5A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id	3V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	20nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	640pF @ 20V
전력 - 최대	3W, 3.1W
작동 온도	-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형	표면 실장
패키지/케이스	8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)
공급 장치 패키지	8-SOIC
기준 제품 번호	SI4599