Name: SI4166DY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4166DY-T1-GE3TR-ND
Price: 3272 KRW
Availability: InStock

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SI4166DY-T1-GE3
DigiKey 제품 번호	SI4166DY-T1-GE3TR-ND - 테이프 및 릴(TR) SI4166DY-T1-GE3CT-ND - 컷 테이프(CT) SI4166DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Vishay Siliconix
제조업체 제품 번호	SI4166DY-T1-GE3
제품 요약	MOSFET N-CH 30V 30.5A 8SO
제조업체 표준 리드 타임	38주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 30 V 30.5A(Tc) 3W(Ta), 6.5W(Tc) 표면 실장 8-SOIC
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	SI4166DY-T1-GE3 모델

제품 특성

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빈 특성 표시

종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 2.4V @ 250µA
제조업체 Vishay Siliconix	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 65 nC @ 10 V
계열 TrenchFET®	Vgs(최대) ±20V
포장 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 2730 pF @ 15 V
부품 현황 활성	내전력(최대) 3W(Ta), 6.5W(Tc)
FET 유형 N채널	작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ)
기술 MOSFET(금속 산화물)	실장 유형 표면 실장
드레인 - 소스 전압(Vdss) 30 V	공급 장치 패키지 8-SOIC
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 30.5A(Tc)	패키지/케이스 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V	기준 제품 번호 SI4166
Rds On(최대) @ Id, Vgs 3.9m옴 @ 15A, 10V