Name: SI4160DY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4160DY-T1-GE3TR-ND
Price: 3103 KRW
Availability: InStock

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SI4160DY-T1-GE3
DigiKey 제품 번호	SI4160DY-T1-GE3TR-ND - 테이프 및 릴(TR) SI4160DY-T1-GE3CT-ND - 컷 테이프(CT) SI4160DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Vishay Siliconix
제조업체 제품 번호	SI4160DY-T1-GE3
제품 요약	MOSFET N-CH 30V 25.4A 8SO
제조업체 표준 리드 타임	38주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 30 V 25.4A(Tc) 2.5W(Ta), 5.7W(Tc) 표면 실장 8-SOIC
규격서	규격서

제품 특성

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빈 특성 표시

종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 2.4V @ 250µA
제조업체 Vishay Siliconix	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 54 nC @ 10 V
계열 TrenchFET®	Vgs(최대) ±20V
포장 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 2071 pF @ 15 V
부품 현황 활성	내전력(최대) 2.5W(Ta), 5.7W(Tc)
FET 유형 N채널	작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ)
기술 MOSFET(금속 산화물)	실장 유형 표면 실장
드레인 - 소스 전압(Vdss) 30 V	공급 장치 패키지 8-SOIC
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 25.4A(Tc)	패키지/케이스 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V	기준 제품 번호 SI4160
Rds On(최대) @ Id, Vgs 4.9m옴 @ 15A, 10V

제품 정보 오류 보고

문서 및 미디어

환경 및 수출 등급 분류

추가 리소스

대체품(10)

부품 번호	제조업체	주문 가능 수량	DigiKey 제품 번호	단가	대체품 유형
BSO040N03MSGXUMA1	Infineon Technologies	340	448-BSO040N03MSGXUMA1CT-ND	₩3,348.00000	유사
IRF7832TRPBF	Infineon Technologies	17,833	IRF7832PBFCT-ND	₩2,721.00000	유사
IRF8734TRPBF	Infineon Technologies	115,720	IRF8734TRPBFCT-ND	₩2,247.00000	유사
IRF8736TRPBF	Infineon Technologies	27,847	IRF8736TRPBFCT-ND	₩1,697.00000	유사
RS1E150GNTB	Rohm Semiconductor	2,225	RS1E150GNTBCT-ND	₩1,452.00000	유사