Name: SI3477DV-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI3477DV-T1-GE3TR-ND
Price: 2003 KRW
Availability: InStock

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SI3477DV-T1-GE3
DigiKey 제품 번호	SI3477DV-T1-GE3TR-ND - 테이프 및 릴(TR) SI3477DV-T1-GE3CT-ND - 컷 테이프(CT) SI3477DV-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Vishay Siliconix
제조업체 제품 번호	SI3477DV-T1-GE3
제품 요약	MOSFET P-CH 12V 8A 6TSOP
제조업체 표준 리드 타임	38주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	P채널 12 V 8A(Tc) 2W(Ta), 4.2W(Tc) 표면 실장 6-TSOP
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	SI3477DV-T1-GE3 모델

제품 특성

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빈 특성 표시

종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 1V @ 250µA
제조업체 Vishay Siliconix	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 90 nC @ 10 V
계열 TrenchFET®	Vgs(최대) ±10V
포장 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 2600 pF @ 6 V
부품 현황 활성	내전력(최대) 2W(Ta), 4.2W(Tc)
FET 유형 P채널	작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ)
기술 MOSFET(금속 산화물)	실장 유형 표면 실장
드레인 - 소스 전압(Vdss) 12 V	공급 장치 패키지 6-TSOP
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 8A(Tc)	패키지/케이스 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 1.8V, 4.5V	기준 제품 번호 SI3477
Rds On(최대) @ Id, Vgs 17.5m옴 @ 9A, 4.5V

제품 정보 오류 보고

문서 및 미디어

환경 및 수출 등급 분류

추가 리소스

대체품(2)

부품 번호	제조업체	주문 가능 수량	DigiKey 제품 번호	단가	대체품 유형
RQ5P010SNTL	Rohm Semiconductor	8,816	RQ5P010SNTLCT-ND	₩1,514.00000	유사
RQ6A045APTCR	Rohm Semiconductor	2,494	RQ6A045APTCRCT-ND	₩1,544.00000	유사

재고: 10,256

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제조업체 표준 포장

SI3477DV-T1-GE3