SI3460DV-T1-E3은(는) 단종되었으며 더 이상 제조되지 않습니다.
사용 가능한 대체품:

직접


Vishay Siliconix
재고 있음: 11,813
단가 : ₩1,085.00000
규격서

유사


onsemi
재고 있음: 11,679
단가 : ₩1,880.00000
규격서

유사


onsemi
재고 있음: 12,331
단가 : ₩1,147.00000
규격서

유사


Infineon Technologies
재고 있음: 1,993
단가 : ₩1,422.00000
규격서

유사


onsemi
재고 있음: 846
단가 : ₩1,865.00000
규격서

유사


Rohm Semiconductor
재고 있음: 2,782
단가 : ₩1,835.00000
규격서

유사


STMicroelectronics
재고 있음: 10,626
단가 : ₩1,330.00000
규격서
N채널 20 V 5.1A(Ta) 1.1W(Ta) 표면 실장 6-TSOP
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SI3460DV-T1-E3

DigiKey 제품 번호
SI3460DV-T1-E3TR-ND - 테이프 및 릴(TR)
제조업체
제조업체 제품 번호
SI3460DV-T1-E3
제품 요약
MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP
고객 참조 번호
제품 세부 정보
N채널 20 V 5.1A(Ta) 1.1W(Ta) 표면 실장 6-TSOP
규격서
 규격서
제품 특성
유사 제품 검색
빈 특성 표시
종류
Rds On(최대) @ Id, Vgs
27m옴 @ 5.1A, 4.5V
제조업체
Vgs(th)(최대) @ Id
450mV @ 1mA(최소)
계열
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
20 nC @ 4.5 V
포장
테이프 및 릴(TR)
Vgs(최대)
±8V
부품 현황
단종
내전력(최대)
1.1W(Ta)
FET 유형
작동 온도
-55°C ~ 150°C(TJ)
기술
실장 유형
표면 실장
드레인 - 소스 전압(Vdss)
20 V
공급 장치 패키지
6-TSOP
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
패키지/케이스
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
1.8V, 4.5V
기준 제품 번호
환경 및 수출 등급 분류
제품 관련 질문 및 답변
추가 리소스
대체품(7)
부품 번호제조업체 주문 가능 수량DigiKey 제품 번호 단가 대체품 유형
SI3460DDV-T1-GE3Vishay Siliconix11,813SI3460DDV-T1-GE3CT-ND₩1,085.00000직접
FDC637ANonsemi11,679FDC637ANCT-ND₩1,880.00000유사
FDC637BNZonsemi12,331FDC637BNZCT-ND₩1,147.00000유사
IRLMS2002TRPBFInfineon Technologies1,993IRLMS2002PBFCT-ND₩1,422.00000유사
NTGS3130NT1Gonsemi846NTGS3130NT1GOSCT-ND₩1,865.00000유사
단종
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