Name: SI3127DV-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI3127DV-T1-GE3TR-ND
Price: 1218 KRW
Availability: OutOfStock

SI3127DV-T1-GE3은(는) 품절되어 재고가 없으며 백오더가 가능합니다.

사용 가능한 대체품:

유사

Rohm Semiconductor

재고 있음: 1,588

단가 : ₩144.60000

유사

Rohm Semiconductor

재고 있음: 3,941

단가 : ₩163.50000

유사

Rohm Semiconductor

재고 있음: 19,359

단가 : ₩74.66000

보여진 사진은 제품을 대표적으로 묘사하는 사진입니다. 정확한 규격은 제품의 데이터시트에서 확인하셔야 합니다.

SI3127DV-T1-GE3
DigiKey 제품 번호	SI3127DV-T1-GE3TR-ND - 테이프 및 릴(TR) SI3127DV-T1-GE3CT-ND - 컷 테이프(CT) SI3127DV-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Vishay Siliconix
제조업체 제품 번호	SI3127DV-T1-GE3
제품 요약	MOSFET P-CH 60V 3.5A/13A 6TSOP
제조업체 표준 리드 타임	63주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	P채널 60 V 3.5A(Ta), 13A(Tc) 2W(Ta), 4.2W(Tc) 표면 실장 6-TSOP
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	SI3127DV-T1-GE3 모델

제품 특성

유사 제품 검색

빈 특성 표시

종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 3V @ 250µA
제조업체 Vishay Siliconix	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 30 nC @ 10 V
계열 TrenchFET®	Vgs(최대) ±20V
포장 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 833 pF @ 20 V
부품 현황 활성	내전력(최대) 2W(Ta), 4.2W(Tc)
FET 유형 P채널	작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ)
기술 MOSFET(금속 산화물)	실장 유형 표면 실장
드레인 - 소스 전압(Vdss) 60 V	공급 장치 패키지 6-TSOP
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 3.5A(Ta), 13A(Tc)	패키지/케이스 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V	기준 제품 번호 SI3127
Rds On(최대) @ Id, Vgs 89m옴 @ 1.5A, 4.5V

제품 정보 오류 보고

문서 및 미디어

환경 및 수출 등급 분류

추가 리소스

대체품(3)

부품 번호	제조업체	주문 가능 수량	DigiKey 제품 번호	단가	대체품 유형
RQ6E085BNTCR	Rohm Semiconductor	1,588	RQ6E085BNTCRCT-ND	₩144.60000	유사
RQ6L020SPTCR	Rohm Semiconductor	3,941	RQ6L020SPTCRCT-ND	₩163.50000	유사
RSM002P03T2L	Rohm Semiconductor	19,359	RSM002P03T2LCT-ND	₩74.66000	유사

재고: 0

리드 타임 확인

재고 알림 요청

수량

모든 가격은 KRW 기준입니다.

컷 테이프(CT) & Digi-Reel®

* 모든 Digi-Reel 주문에는 ₩8,000 릴링 요금이 추가됩니다.

테이프 및 릴(TR)