Name: SI2399DS-T1-BE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SI2399DS-T1-BE3TR-ND
Price: 1280 KRW
Availability: InStock

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SI2399DS-T1-BE3
DigiKey 제품 번호	742-SI2399DS-T1-BE3TR-ND - 테이프 및 릴(TR) 742-SI2399DS-T1-BE3CT-ND - 컷 테이프(CT) 742-SI2399DS-T1-BE3DKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Vishay Siliconix
제조업체 제품 번호	SI2399DS-T1-BE3
제품 요약	P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
제조업체 표준 리드 타임	38주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	P채널 20 V 5.1A(Ta), 6A(Tc) 1.25W(Ta), 2.5W(Tc) 표면 실장 SOT-23-3(TO-236)
규격서	규격서

제품 특성

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종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 1.5V @ 250µA
제조업체 Vishay Siliconix	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 20 nC @ 4.5 V
포장 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	Vgs(최대) ±12V
부품 현황 활성	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 835 pF @ 10 V
FET 유형 P채널	내전력(최대) 1.25W(Ta), 2.5W(Tc)
기술 MOSFET(금속 산화물)	작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ)
드레인 - 소스 전압(Vdss) 20 V	실장 유형 표면 실장
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 5.1A(Ta), 6A(Tc)	공급 장치 패키지 SOT-23-3(TO-236)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 2.5V, 10V	패키지/케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Rds On(최대) @ Id, Vgs 34m옴 @ 5.1A, 10V

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제조업체 표준 포장

SI2399DS-T1-BE3