Name: SI2333CDS-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI2333CDS-T1-E3TR-ND
Price: 1889 KRW
Availability: InStock

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SI2333CDS-T1-E3
DigiKey 제품 번호	SI2333CDS-T1-E3TR-ND - 테이프 및 릴(TR) SI2333CDS-T1-E3CT-ND - 컷 테이프(CT) SI2333CDS-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Vishay Siliconix
제조업체 제품 번호	SI2333CDS-T1-E3
제품 요약	MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3
제조업체 표준 리드 타임	38주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	P채널 12 V 7.1A(Tc) 1.25W(Ta), 2.5W(Tc) 표면 실장 SOT-23-3(TO-236)
규격서	규격서

제품 특성

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빈 특성 표시

종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 1V @ 250µA
제조업체 Vishay Siliconix	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 25 nC @ 4.5 V
계열 TrenchFET®	Vgs(최대) ±8V
포장 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 1225 pF @ 6 V
부품 현황 활성	내전력(최대) 1.25W(Ta), 2.5W(Tc)
FET 유형 P채널	작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ)
기술 MOSFET(금속 산화물)	실장 유형 표면 실장
드레인 - 소스 전압(Vdss) 12 V	공급 장치 패키지 SOT-23-3(TO-236)
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 7.1A(Tc)	패키지/케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 1.8V, 4.5V	기준 제품 번호 SI2333
Rds On(최대) @ Id, Vgs 35m옴 @ 5.1A, 4.5V

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문서 및 미디어

환경 및 수출 등급 분류

추가 리소스

대체품(5)

부품 번호	제조업체	주문 가능 수량	DigiKey 제품 번호	단가	대체품 유형
SI2333CDS-T1-BE3	Vishay Siliconix	67	742-SI2333CDS-T1-BE3CT-ND	₩1,889.00000	직접
RQ5A020ZPTL	Rohm Semiconductor	1,591	RQ5A020ZPTLCT-ND	₩1,296.00000	유사
RQ5A025ZPTL	Rohm Semiconductor	2,600	RQ5A025ZPTLCT-ND	₩1,514.00000	유사
RQ5A030APTL	Rohm Semiconductor	13,293	RQ5A030APTLCT-ND	₩937.00000	유사
RZR025P01TL	Rohm Semiconductor	3,208	RZR025P01TLCT-ND	₩1,436.00000	유사

재고: 34,097

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