SI1972DH-T1-E3 Vishay Siliconix | 이산 반도체 제품

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사용 가능한 대체품:

유사

Diodes Incorporated

재고 있음: 8,719

단가 : ₩566.00000

유사

Nexperia USA Inc.

재고 있음: 0

단가 : ₩0.00000

보여진 사진은 제품을 대표적으로 묘사하는 사진입니다. 정확한 규격은 제품의 데이터시트에서 확인하셔야 합니다.

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET FET, MOSFET 어레이
제조업체	Vishay Siliconix
계열	TrenchFET®
포장	테이프 및 릴(TR)
부품 현황	단종
기술	MOSFET(금속 산화물)
구성	2 N-Chan(이중)
FET 특징	-
드레인 - 소스 전압(Vdss)	30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	1.3A
Rds On(최대) @ Id, Vgs	225m옴 @ 1.3A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id	2.8V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	2.8nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	75pF @ 15V
전력 - 최대	1.25W
작동 온도	-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형	표면 실장
패키지/케이스	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급 장치 패키지	SC-70-6
기준 제품 번호	SI1972