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직접


Vishay Siliconix
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단가 : ₩5,194.00000
규격서

등가 파라미터


Vishay Siliconix
재고 있음: 2,059
단가 : ₩5,194.00000
규격서

등가 파라미터


Vishay Siliconix
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단가 : ₩5,194.00000
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유사


onsemi
재고 있음: 0
단가 : ₩3,244.00000
규격서

유사


onsemi
재고 있음: 0
단가 : ₩0.00000
규격서

유사


onsemi
재고 있음: 422
단가 : ₩3,155.00000
규격서

유사


Infineon Technologies
재고 있음: 0
단가 : ₩0.00000
규격서

유사


Infineon Technologies
재고 있음: 0
단가 : ₩951.29800
규격서

유사


Infineon Technologies
재고 있음: 30,800
단가 : ₩2,098.00000
규격서

유사


Infineon Technologies
재고 있음: 0
단가 : ₩857.55350
규격서

유사


Infineon Technologies
재고 있음: 0
단가 : ₩1,379.95600
규격서

유사


Infineon Technologies
재고 있음: 0
단가 : ₩671.54600
규격서

유사


onsemi
재고 있음: 773
단가 : ₩5,730.00000
규격서

유사


Nexperia USA Inc.
재고 있음: 0
단가 : ₩2,502.47560
규격서
SIHP23N60E-GE3
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IRFZ44RPBF

DigiKey 제품 번호
IRFZ44RPBF-ND
제조업체
제조업체 제품 번호
IRFZ44RPBF
제품 요약
MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
제조업체 표준 리드 타임
20주
고객 참조 번호
제품 세부 정보
N채널 60 V 50A(Tc) 150W(Tc) 스루홀 TO-220AB
규격서
 규격서
EDA/CAD 모델
IRFZ44RPBF 모델
제품 특성
유형
제품 요약
모두 선택
종류
제조업체
계열
-
포장
튜브
부품 현황
활성
FET 유형
기술
드레인 - 소스 전압(Vdss)
60 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
28m옴 @ 31A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
67 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
1900 pF @ 25 V
FET 특징
-
내전력(최대)
150W(Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C(TJ)
등급
-
인증
-
실장 유형
스루홀
공급 장치 패키지
TO-220AB
패키지/케이스
기준 제품 번호
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튜브
수량 단가 총액
1₩5,194.00000₩5,194
50₩2,610.38000₩130,519
100₩2,360.50000₩236,050
500₩1,922.50800₩961,254
1,000₩1,781.79500₩1,781,795
2,000₩1,672.40950₩3,344,819
제조업체 표준 포장
참고: DigiKey 부가 가치 서비스로 인해, 표준 패키지보다 적은 수량으로 제품을 구매할 경우 포장 유형이 변경될 수 있습니다.