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사용 가능한 대체품:

등가 파라미터

IRFBC40ASTRLPBF
Vishay Siliconix
재고 있음: 450
단가 : ₩7,947.00000
규격서

유사

AOB9N70L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
재고 있음: 0
단가 : ₩0.00000
규격서

유사

FQB7N60TM
onsemi
재고 있음: 2,075
단가 : ₩2,289.60106
규격서

유사

FQB8N60CTM
onsemi
재고 있음: 0
단가 : ₩0.00000
규격서

유사

IXFA10N80P
IXYS
재고 있음: 29,606
단가 : ₩8,245.00000
규격서

유사

R6004KNJTL
Rohm Semiconductor
재고 있음: 1,000
단가 : ₩1,182.91300
규격서

유사

STB6N60M2
STMicroelectronics
재고 있음: 4,839
단가 : ₩3,215.00000
규격서

유사

STB9NK60ZT4
STMicroelectronics
재고 있음: 455
단가 : ₩6,191.00000
규격서

유사

STD7ANM60N
STMicroelectronics
재고 있음: 5,338
단가 : ₩3,319.00000
규격서
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TO-263-3
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TO-263-3
TO-263-3

IRFBC40ASTRRPBF

DigiKey 제품 번호
IRFBC40ASTRRPBF-ND - 테이프 및 릴(TR)
제조업체
Vishay Siliconix
제조업체 제품 번호
IRFBC40ASTRRPBF
제품 요약
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
제조업체 표준 리드 타임
20주
고객 참조 번호
제품 세부 정보
N채널 600 V 6.2A(Tc) 125W(Tc) 표면 실장 TO-263(D2PAK)
규격서
 규격서
제품 특성
유형
제품 요약
모두 선택
종류
제조업체
Vishay Siliconix
계열
-
포장
테이프 및 릴(TR)
부품 현황
활성
FET 유형
N채널
기술
MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss)
600 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
6.2A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
1.2옴 @ 3.7A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
1036 pF @ 25 V
FET 특징
-
내전력(최대)
125W(Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C(TJ)
등급
-
인증
-
실장 유형
표면 실장
공급 장치 패키지
TO-263(D2PAK)
패키지/케이스
TO-263-3, D2PAK(2리드 + 탭), TO-263AB
기준 제품 번호
IRFBC40
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테이프 및 릴(TR)
수량 단가 총액
800₩2,998.80375₩2,399,043
1,600₩2,974.62000₩4,759,392
제조업체 표준 포장