Name: VS-SF50SA120
Brand: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SKU: 112-VS-SF50SA120-ND
Price: 69224 KRW
Availability: InStock

신제품

N채널 1200 V 49A(Tc) 238W(Tc) 섀시 실장 SOT-227

보여진 사진은 제품을 대표적으로 묘사하는 사진입니다. 정확한 규격은 제품의 데이터시트에서 확인하셔야 합니다.

VS-SF50SA120
DigiKey 제품 번호	112-VS-SF50SA120-ND
제조업체	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
제조업체 제품 번호	VS-SF50SA120
제품 요약	POWER MODULE, SINGLE SWITCH - SI
제조업체 표준 리드 타임	19주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 1200 V 49A(Tc) 238W(Tc) 섀시 실장 SOT-227
규격서	규격서

제품 특성

유사 제품 검색

빈 특성 표시

종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 3.6V @ 7.11mA
제조업체 Vishay General Semiconductor - Diodes Division	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 86 nC @ 15 V
포장 튜브	Vgs(최대) +19V, -8V
부품 현황 활성	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 2310 pF @ 1000 V
FET 유형 N채널	내전력(최대) 238W(Tc)
기술 SiCFET(실리콘 카바이드)	작동 온도 -55°C ~ 175°C(TJ)
드레인 - 소스 전압(Vdss) 1200 V	실장 유형 섀시 실장
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 49A(Tc)	공급 장치 패키지 SOT-227
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 15V	패키지/케이스 SOT-227-4, miniBLOC
Rds On(최대) @ Id, Vgs 59.2m옴 @ 50A, 15V