Name: VS-MPY038P120
Brand: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SKU: 112-VS-MPY038P120-ND
Price: 164629 KRW
Availability: InStock

신제품

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VS-MPY038P120
DigiKey 제품 번호	112-VS-MPY038P120-ND
제조업체	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
제조업체 제품 번호	VS-MPY038P120
제품 요약	POWER MODULE, FULL BRIDGE INVERT
제조업체 표준 리드 타임	31주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	MOSFET - 어레이 1200V(1.2kV) 43A 93W 섀시 실장
규격서	규격서

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET FET, MOSFET 어레이
제조업체	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
계열	-
포장	박스
부품 현황	활성
기술	실리콘 카바이드(SiC)
구성	4 N채널(풀 브리지)
FET 특징	-
드레인 - 소스 전압(Vdss)	1200V(1.2kV)
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	43A
Rds On(최대) @ Id, Vgs	49.8m옴 @ 40A, 15V
Vgs(th)(최대) @ Id	3.8V @ 10mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	100nC @ 15V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	2979pF @ 1000V
전력 - 최대	93W
작동 온도	-55°C ~ 175°C(TJ)
등급	-
인증	-
실장 유형	섀시 실장
패키지/케이스	모듈
공급 장치 패키지	-