Name: XPW6R30ANB,L1XHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XPW6R30ANBL1XHQTR-ND
Price: 4449 KRW
Availability: InStock

N채널 100 V 45A(Ta) 960mW(Ta), 132W(Tc) 표면 실장 8-DSOP Advance

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XPW6R30ANB,L1XHQ
DigiKey 제품 번호	264-XPW6R30ANBL1XHQTR-ND - 테이프 및 릴(TR) 264-XPW6R30ANBL1XHQCT-ND - 컷 테이프(CT) 264-XPW6R30ANBL1XHQDKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Toshiba Semiconductor and Storage
제조업체 제품 번호	XPW6R30ANB,L1XHQ
제품 요약	MOSFET N-CH 100V 45A 8DSOP
제조업체 표준 리드 타임	32주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 100 V 45A(Ta) 960mW(Ta), 132W(Tc) 표면 실장 8-DSOP Advance
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	XPW6R30ANB,L1XHQ 모델

제품 특성

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빈 특성 표시

종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 52 nC @ 10 V
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs(최대) ±20V
계열 U-MOSVIII-H	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 3240 pF @ 10 V
포장 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	내전력(최대) 960mW(Ta), 132W(Tc)
부품 현황 활성	작동 온도 175°C
FET 유형 N채널	등급 자동차
기술 MOSFET(금속 산화물)	인증 AEC-Q101
드레인 - 소스 전압(Vdss) 100 V	실장 유형 표면 실장
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 45A(Ta)	공급 장치 패키지 8-DSOP Advance
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 6V, 10V	패키지/케이스 8-PowerVDFN
Rds On(최대) @ Id, Vgs 6.3m옴 @ 22.5A, 10V	기준 제품 번호 XPW6R30
Vgs(th)(최대) @ Id 3.5V @ 500µA