Name: XPW4R10ANB,L1XHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XPW4R10ANB,L1XHQTR-ND
Price: 4984 KRW
Availability: InStock

N채널 100 V 70A 170W(Tc) 표면 실장 8-DSOP Advance

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XPW4R10ANB,L1XHQ
DigiKey 제품 번호	264-XPW4R10ANB,L1XHQTR-ND - 테이프 및 릴(TR) 264-XPW4R10ANB,L1XHQCT-ND - 컷 테이프(CT) 264-XPW4R10ANB,L1XHQDKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Toshiba Semiconductor and Storage
제조업체 제품 번호	XPW4R10ANB,L1XHQ
제품 요약	MOSFET N-CH 100V 70A AEC-Q101
제조업체 표준 리드 타임	52주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 100 V 70A 170W(Tc) 표면 실장 8-DSOP Advance
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	XPW4R10ANB,L1XHQ 모델

제품 특성

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종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 75 nC @ 10 V
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs(최대) ±20V
포장 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 4970 pF @ 10 V
부품 현황 활성	내전력(최대) 170W(Tc)
FET 유형 N채널	작동 온도 -55°C ~ 175°C
기술 MOSFET(금속 산화물)	등급 자동차
드레인 - 소스 전압(Vdss) 100 V	인증 AEC-Q101
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 70A	실장 유형 표면 실장
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 6V, 10V	공급 장치 패키지 8-DSOP Advance
Rds On(최대) @ Id, Vgs 4.1m옴 @ 35A, 10V	패키지/케이스 8-PowerVDFN
Vgs(th)(최대) @ Id 3.5V @ 1mA