Name: TPW2900ENH,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPW2900ENH,L1QTR-ND
Price: 5993 KRW
Availability: InStock

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TPW2900ENH,L1Q
DigiKey 제품 번호	264-TPW2900ENH,L1QTR-ND - 테이프 및 릴(TR) 264-TPW2900ENH,L1QCT-ND - 컷 테이프(CT) 264-TPW2900ENH,L1QDKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Toshiba Semiconductor and Storage
제조업체 제품 번호	TPW2900ENH,L1Q
제품 요약	PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO
제조업체 표준 리드 타임	16주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 200 V 33A(Tc) 800mW(Ta), 142W(Tc) 표면 실장 8-DSOP Advance
규격서	규격서

제품 특성

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빈 특성 표시

종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Rds On(최대) @ Id, Vgs 29m옴 @ 16.5A, 10V
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs(th)(최대) @ Id 4V @ 1mA
계열 U-MOSVIII-H	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 22 nC @ 10 V
포장 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	Vgs(최대) ±20V
부품 현황 활성	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 2200 pF @ 100 V
FET 유형 N채널	내전력(최대) 800mW(Ta), 142W(Tc)
기술 MOSFET(금속 산화물)	작동 온도 150°C
드레인 - 소스 전압(Vdss) 200 V	실장 유형 표면 실장
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 33A(Tc)	공급 장치 패키지 8-DSOP Advance
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V	패키지/케이스 8-PowerVDFN