Name: TPN2R203NC,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPN2R203NCL1QTR-ND
Price: 2859 KRW
Availability: InStock

보여진 사진은 제품을 대표적으로 묘사하는 사진입니다. 정확한 규격은 제품의 데이터시트에서 확인하셔야 합니다.

TPN2R203NC,L1Q
DigiKey 제품 번호	TPN2R203NCL1QTR-ND - 테이프 및 릴(TR) TPN2R203NCL1QCT-ND - 컷 테이프(CT) TPN2R203NCL1QDKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Toshiba Semiconductor and Storage
제조업체 제품 번호	TPN2R203NC,L1Q
제품 요약	MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON
제조업체 표준 리드 타임	16주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 30 V 45A(Tc) 700mW(Ta), 42W(Tc) 표면 실장 8-TSON Advance(3.1x3.1)
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	TPN2R203NC,L1Q 모델

제품 특성

유사 제품 검색

빈 특성 표시

종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 2.3V @ 500µA
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 34 nC @ 10 V
계열 U-MOSVIII	Vgs(최대) ±20V
포장 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 2230 pF @ 15 V
부품 현황 활성	내전력(최대) 700mW(Ta), 42W(Tc)
FET 유형 N채널	작동 온도 150°C(TJ)
기술 MOSFET(금속 산화물)	실장 유형 표면 실장
드레인 - 소스 전압(Vdss) 30 V	공급 장치 패키지 8-TSON Advance(3.1x3.1)
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 45A(Tc)	패키지/케이스 8-PowerVDFN
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V	기준 제품 번호 TPN2R203
Rds On(최대) @ Id, Vgs 2.2m옴 @ 22.5A, 10V

제품 정보 오류 보고

문서 및 미디어

환경 및 수출 등급 분류

추가 리소스

대체품(1)

부품 번호	제조업체	주문 가능 수량	DigiKey 제품 번호	단가	대체품 유형
IRFH5301TRPBF	Infineon Technologies	4,653	IRFH5301TRPBFCT-ND	₩2,920.00000	유사

재고: 4,886

추가 입고 예정인 재고 확인

수량

모든 가격은 KRW 기준입니다.

컷 테이프(CT) & Digi-Reel®