Name: TK9A60D(STA4,Q,M)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK9A60D(STA4QM)-ND
Price: 4510 KRW
Availability: InStock

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TK9A60D(STA4,Q,M)
DigiKey 제품 번호	TK9A60D(STA4QM)-ND
제조업체	Toshiba Semiconductor and Storage
제조업체 제품 번호	TK9A60D(STA4,Q,M)
제품 요약	MOSFET N-CH 600V 9A TO220SIS
제조업체 표준 리드 타임	16주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 600 V 9A(Ta) 45W(Tc) 스루홀 TO-220SIS
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	TK9A60D(STA4,Q,M) 모델

제품 특성

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종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 4V @ 1mA
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 24 nC @ 10 V
계열 π-MOSVII	Vgs(최대) ±30V
포장 튜브	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 1200 pF @ 25 V
부품 현황 활성	내전력(최대) 45W(Tc)
FET 유형 N채널	작동 온도 150°C(TJ)
기술 MOSFET(금속 산화물)	실장 유형 스루홀
드레인 - 소스 전압(Vdss) 600 V	공급 장치 패키지 TO-220SIS
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 9A(Ta)	패키지/케이스 TO-220-3 풀팩(Full Pack)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V	기준 제품 번호 TK9A60
Rds On(최대) @ Id, Vgs 830m옴 @ 4.5A, 10V

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문서 및 미디어

환경 및 수출 등급 분류

추가 리소스

대체품(5)

부품 번호	제조업체	주문 가능 수량	DigiKey 제품 번호	단가	대체품 유형
FDPF12N60NZ	onsemi	940	488-FDPF12N60NZ-ND	₩4,923.00000	유사
IPAN60R650CEXKSA1	Rochester Electronics, LLC	691	2156-IPAN60R650CEXKSA1-ND	₩1,087.80000	유사
IRFIB6N60APBF	Vishay Siliconix	755	IRFIB6N60APBF-ND	₩8,317.00000	유사
IXTP4N70X2M	IXYS	24	238-IXTP4N70X2M-ND	₩7,017.00000	유사
STF9NM60N	STMicroelectronics	1,359	497-12591-5-ND	₩5,091.00000	유사

재고: 22

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제조업체 표준 포장

참고: DigiKey 부가 가치 서비스로 인해, 표준 패키지보다 적은 수량으로 제품을 구매할 경우 포장 유형이 변경될 수 있습니다.

TK9A60D(STA4,Q,M)