Name: TK39A60W,S4VX
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK39A60WS4VX-ND
Price: 17092 KRW
Availability: InStock

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TK39A60W,S4VX
DigiKey 제품 번호	TK39A60WS4VX-ND
제조업체	Toshiba Semiconductor and Storage
제조업체 제품 번호	TK39A60W,S4VX
제품 요약	MOSFET N-CH 600V 38.8A TO220SIS
제조업체 표준 리드 타임	16주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 600 V 38.8A(Ta) 50W(Tc) 스루홀 TO-220SIS
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	TK39A60W,S4VX 모델

제품 특성

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빈 특성 표시

종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 3.7V @ 1.9mA
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 110 nC @ 10 V
계열 DTMOSIV	Vgs(최대) ±30V
포장 튜브	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 4100 pF @ 300 V
부품 현황 활성	내전력(최대) 50W(Tc)
FET 유형 N채널	작동 온도 150°C(TJ)
기술 MOSFET(금속 산화물)	실장 유형 스루홀
드레인 - 소스 전압(Vdss) 600 V	공급 장치 패키지 TO-220SIS
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 38.8A(Ta)	패키지/케이스 TO-220-3 풀팩(Full Pack)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V	기준 제품 번호 TK39A60
Rds On(최대) @ Id, Vgs 65m옴 @ 19.4A, 10V