Name: TK31N60W5,S1VF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK31N60W5S1VF-ND
Price: 15838 KRW
Availability: InStock

보여진 사진은 제품을 대표적으로 묘사하는 사진입니다. 정확한 규격은 제품의 데이터시트에서 확인하셔야 합니다.

TK31N60W5,S1VF
DigiKey 제품 번호	TK31N60W5S1VF-ND
제조업체	Toshiba Semiconductor and Storage
제조업체 제품 번호	TK31N60W5,S1VF
제품 요약	MOSFET N-CH 600V 30.8A TO247
제조업체 표준 리드 타임	16주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 600 V 30.8A(Ta) 230W(Tc) 스루홀 TO-247
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	TK31N60W5,S1VF 모델

제품 특성

유사 제품 검색

빈 특성 표시

종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 4.5V @ 1.5mA
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 105 nC @ 10 V
계열 DTMOSIV	Vgs(최대) ±30V
포장 튜브	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 3000 pF @ 300 V
부품 현황 활성	내전력(최대) 230W(Tc)
FET 유형 N채널	작동 온도 150°C(TJ)
기술 MOSFET(금속 산화물)	실장 유형 스루홀
드레인 - 소스 전압(Vdss) 600 V	공급 장치 패키지 TO-247
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 30.8A(Ta)	패키지/케이스 TO-247-3
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V	기준 제품 번호 TK31N60
Rds On(최대) @ Id, Vgs 99m옴 @ 15.4A, 10V