Name: TK2R4E08QM,S1X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK2R4E08QMS1X-ND
Price: 3574.76 KRW
Availability: OutOfStock

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TK2R4E08QM,S1X
DigiKey 제품 번호	264-TK2R4E08QMS1X-ND
제조업체	Toshiba Semiconductor and Storage
제조업체 제품 번호	TK2R4E08QM,S1X
제품 요약	UMOS10 TO-220AB 80V 2.4MOHM
제조업체 표준 리드 타임	16주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 80 V 120A(Tc) 300W(Tc) 스루홀 TO-220
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	TK2R4E08QM,S1X 모델

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
제조업체	Toshiba Semiconductor and Storage
계열	U-MOSX-H
포장	튜브
부품 현황	활성
FET 유형	N채널
기술	MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss)	80 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	120A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)	6V, 10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs	2.44m옴 @ 50A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id	3.5V @ 2.2mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	178 nC @ 10 V
Vgs(최대)	±20V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	13000 pF @ 40 V
FET 특징	-
내전력(최대)	300W(Tc)
작동 온도	175°C
등급	-
인증	-
실장 유형	스루홀
공급 장치 패키지	TO-220
패키지/케이스	TO-220-3