Name: TK2R4E08QM,S1X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK2R4E08QMS1X-ND
Price: 3878.88 KRW
Availability: OutOfStock

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TK2R4E08QM,S1X
DigiKey 제품 번호	264-TK2R4E08QMS1X-ND
제조업체	Toshiba Semiconductor and Storage
제조업체 제품 번호	TK2R4E08QM,S1X
제품 요약	UMOS10 TO-220AB 80V 2.4MOHM
제조업체 표준 리드 타임	16주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 80 V 120A(Tc) 300W(Tc) 스루홀 TO-220
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	TK2R4E08QM,S1X 모델

제품 특성

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빈 특성 표시

종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Rds On(최대) @ Id, Vgs 2.44m옴 @ 50A, 10V
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs(th)(최대) @ Id 3.5V @ 2.2mA
계열 U-MOSX-H	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 178 nC @ 10 V
포장 튜브	Vgs(최대) ±20V
부품 현황 활성	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 13000 pF @ 40 V
FET 유형 N채널	내전력(최대) 300W(Tc)
기술 MOSFET(금속 산화물)	작동 온도 175°C
드레인 - 소스 전압(Vdss) 80 V	실장 유형 스루홀
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 120A(Tc)	공급 장치 패키지 TO-220
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 6V, 10V	패키지/케이스 TO-220-3