Name: TK190E65Z,S1X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK190E65ZS1X-ND
Price: 7247 KRW
Availability: InStock

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TK190E65Z,S1X
DigiKey 제품 번호	264-TK190E65ZS1X-ND
제조업체	Toshiba Semiconductor and Storage
제조업체 제품 번호	TK190E65Z,S1X
제품 요약	650V DTMOS VI TO-220 190MOHM
제조업체 표준 리드 타임	16주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 650 V 15A(Ta) 130W(Tc) 스루홀 TO-220
규격서	규격서

제품 특성

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종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 4V @ 610µA
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 25 nC @ 10 V
포장 튜브	Vgs(최대) ±30V
부품 현황 활성	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 1370 pF @ 300 V
FET 유형 N채널	내전력(최대) 130W(Tc)
기술 MOSFET(금속 산화물)	작동 온도 150°C
드레인 - 소스 전압(Vdss) 650 V	실장 유형 스루홀
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 15A(Ta)	공급 장치 패키지 TO-220
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V	패키지/케이스 TO-220-3
Rds On(최대) @ Id, Vgs 190m옴 @ 7.5A, 10V

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TK190E65Z,S1X