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사용 가능한 대체품:

직접


Toshiba Semiconductor and Storage
재고 있음: 0
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유사


Rochester Electronics, LLC
재고 있음: 31,924
단가 : ₩2,009.00000
규격서

유사


Rohm Semiconductor
재고 있음: 500
단가 : ₩5,998.00000
규격서

유사


Rohm Semiconductor
재고 있음: 337
단가 : ₩4,018.00000
규격서

유사


Vishay Siliconix
재고 있음: 814
단가 : ₩4,837.00000
규격서

유사


Vishay Siliconix
재고 있음: 0
단가 : ₩4,643.00000
규격서

유사


Infineon Technologies
재고 있음: 136
단가 : ₩4,197.00000
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유사


STMicroelectronics
재고 있음: 1,784
단가 : ₩3,349.00000
규격서

유사


STMicroelectronics
재고 있음: 353
단가 : ₩6,191.00000
규격서

유사


STMicroelectronics
재고 있음: 378
단가 : ₩3,914.00000
규격서

유사


STMicroelectronics
재고 있음: 0
단가 : ₩1,300.84100
규격서

유사


STMicroelectronics
재고 있음: 952
단가 : ₩7,903.00000
규격서

유사


STMicroelectronics
재고 있음: 1,263
단가 : ₩3,155.00000
규격서

유사


STMicroelectronics
재고 있음: 782
단가 : ₩5,328.00000
규격서
TO-220-3 Full Pack
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TK13A60D(STA4,Q,M)

DigiKey 제품 번호
TK13A60DSTA4QM-ND
제조업체
제조업체 제품 번호
TK13A60D(STA4,Q,M)
제품 요약
MOSFET N-CH 600V 13A TO220SIS
고객 참조 번호
제품 세부 정보
N채널 600 V 13A(Ta) 50W(Tc) 스루홀 TO-220SIS
규격서
 규격서
제품 특성
유형
제품 요약
모두 선택
종류
제조업체
계열
포장
튜브
부품 현황
단종
FET 유형
기술
드레인 - 소스 전압(Vdss)
600 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
430m옴 @ 6.5A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id
4V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
2300 pF @ 25 V
FET 특징
-
내전력(최대)
50W(Tc)
작동 온도
150°C(TJ)
등급
-
인증
-
실장 유형
스루홀
공급 장치 패키지
TO-220SIS
패키지/케이스
기준 제품 번호
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