Name: TK100E10N1,S1X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK100E10N1S1X-ND
Price: 7583 KRW
Availability: InStock

보여진 사진은 제품을 대표적으로 묘사하는 사진입니다. 정확한 규격은 제품의 데이터시트에서 확인하셔야 합니다.

TK100E10N1,S1X
DigiKey 제품 번호	TK100E10N1S1X-ND
제조업체	Toshiba Semiconductor and Storage
제조업체 제품 번호	TK100E10N1,S1X
제품 요약	MOSFET N-CH 100V 100A TO220
제조업체 표준 리드 타임	16주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 100 V 100A(Ta) 255W(Tc) 스루홀 TO-220
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	TK100E10N1,S1X 모델

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
제조업체	Toshiba Semiconductor and Storage
계열	U-MOSVIII-H
포장	튜브
부품 현황	활성
FET 유형	N채널
기술	MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss)	100 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	100A(Ta)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)	10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs	3.4m옴 @ 50A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id	4V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	140 nC @ 10 V
Vgs(최대)	±20V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	8800 pF @ 50 V
FET 특징	-
내전력(최대)	255W(Tc)
작동 온도	150°C(TJ)
등급	-
인증	-
실장 유형	스루홀
공급 장치 패키지	TO-220
패키지/케이스	TO-220-3
기준 제품 번호	TK100E10