Name: TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TJ8S06M3L(T6L1,NQ)TR-ND
Price: 2601 KRW
Availability: InStock

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TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
DigiKey 제품 번호	264-TJ8S06M3L(T6L1,NQ)TR-ND - 테이프 및 릴(TR) 264-TJ8S06M3L(T6L1,NQ)CT-ND - 컷 테이프(CT) 264-TJ8S06M3L(T6L1,NQ)DKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Toshiba Semiconductor and Storage
제조업체 제품 번호	TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
제품 요약	MOSFET P-CH 60V 8A DPAK
제조업체 표준 리드 타임	16주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	P채널 60 V 8A(Ta) 27W(Tc) 표면 실장 DPAK+
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	TJ8S06M3L(T6L1,NQ) 모델

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
제조업체	Toshiba Semiconductor and Storage
계열	U-MOSVI
포장	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®
부품 현황	활성
FET 유형	P채널
기술	MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss)	60 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	8A(Ta)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)	6V, 10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs	104m옴 @ 4A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id	3V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	19 nC @ 10 V
Vgs(최대)	+10V, -20V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	890 pF @ 10 V
FET 특징	-
내전력(최대)	27W(Tc)
작동 온도	175°C(TJ)
등급	-
인증	-
실장 유형	표면 실장
공급 장치 패키지	DPAK+
패키지/케이스	TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63
기준 제품 번호	TJ8S06