Name: TJ60S06M3L(T6L1,NQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TJ60S06M3L(T6L1,NQTR-ND
Price: 4816 KRW
Availability: InStock

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TJ60S06M3L(T6L1,NQ
DigiKey 제품 번호	264-TJ60S06M3L(T6L1,NQTR-ND - 테이프 및 릴(TR) 264-TJ60S06M3L(T6L1,NQCT-ND - 컷 테이프(CT) 264-TJ60S06M3L(T6L1,NQDKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Toshiba Semiconductor and Storage
제조업체 제품 번호	TJ60S06M3L(T6L1,NQ
제품 요약	MOSFET P-CH 60V 60A DPAK
제조업체 표준 리드 타임	12주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	P채널 60 V 60A(Ta) 100W(Tc) 표면 실장 DPAK+
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	TJ60S06M3L(T6L1,NQ 모델

제품 특성

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빈 특성 표시

종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 3V @ 1mA
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 156 nC @ 10 V
계열 U-MOSVI	Vgs(최대) +10V, -20V
포장 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 7760 pF @ 10 V
부품 현황 활성	내전력(최대) 100W(Tc)
FET 유형 P채널	작동 온도 175°C(TJ)
기술 MOSFET(금속 산화물)	실장 유형 표면 실장
드레인 - 소스 전압(Vdss) 60 V	공급 장치 패키지 DPAK+
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 60A(Ta)	패키지/케이스 TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 6V, 10V	기준 제품 번호 TJ60S06
Rds On(최대) @ Id, Vgs 11.2m옴 @ 30A, 10V

제품 정보 오류 보고

문서 및 미디어

환경 및 수출 등급 분류

추가 리소스

대체품(2)

부품 번호	제조업체	주문 가능 수량	DigiKey 제품 번호	단가	대체품 유형
SQD50P06-15L_GE3	Vishay Siliconix	3,018	SQD50P06-15L_GE3CT-ND	₩6,375.00000	유사
SUD50P06-15-GE3	Vishay Siliconix	34,302	SUD50P06-15-GE3CT-ND	₩5,519.00000	유사