Name: TJ200F04M3L,LXHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TJ200F04M3LLXHQTR-ND
Price: 6788 KRW
Availability: InStock

P채널 40 V 200A(Ta) 375W(Tc) 표면 실장 TO-220SMW

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TJ200F04M3L,LXHQ
DigiKey 제품 번호	264-TJ200F04M3LLXHQTR-ND - 테이프 및 릴(TR) 264-TJ200F04M3LLXHQCT-ND - 컷 테이프(CT) 264-TJ200F04M3LLXHQDKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Toshiba Semiconductor and Storage
제조업체 제품 번호	TJ200F04M3L,LXHQ
제품 요약	MOSFET P-CH 40V 200A TO220SM
제조업체 표준 리드 타임	32주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	P채널 40 V 200A(Ta) 375W(Tc) 표면 실장 TO-220SMW
규격서	규격서

제품 특성

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종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 460 nC @ 10 V
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs(최대) +10V, -20V
계열 U-MOSVI	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 1280 pF @ 10 V
포장 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	내전력(최대) 375W(Tc)
부품 현황 활성	작동 온도 175°C
FET 유형 P채널	등급 자동차
기술 MOSFET(금속 산화물)	인증 AEC-Q101
드레인 - 소스 전압(Vdss) 40 V	실장 유형 표면 실장
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 200A(Ta)	공급 장치 패키지 TO-220SMW
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 6V, 10V	패키지/케이스 TO-263-3, D2PAK(2리드 + 탭), TO-263AB
Rds On(최대) @ Id, Vgs 1.8m옴 @ 100A, 10V	기준 제품 번호 TJ200F04
Vgs(th)(최대) @ Id 3V @ 1mA