Name: HN4C51J(TE85L,F)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: HN4C51J(TE85LF)TR-ND
Price: 948 KRW
Availability: InStock

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HN4C51J(TE85L,F)
DigiKey 제품 번호	HN4C51J(TE85LF)TR-ND - 테이프 및 릴(TR) HN4C51J(TE85LF)CT-ND - 컷 테이프(CT) HN4C51J(TE85LF)DKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Toshiba Semiconductor and Storage
제조업체 제품 번호	HN4C51J(TE85L,F)
제품 요약	TRANS 2NPN 120V 0.1A SMV
제조업체 표준 리드 타임	16주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	트랜지스터 - 양극(BJT) - 어레이 2 NPN(이중) 공통 베이스 120V 100mA 100MHz 300mW 표면 실장 SMV
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	HN4C51J(TE85L,F) 모델

제품 특성

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종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 양극(BJT) 양극 트랜지스터 어레이	DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 6V
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage	전력 - 최대 300mW
포장 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	주파수 - 트랜지션 100MHz
부품 현황 활성	작동 온도 150°C(TJ)
트랜지스터 유형 2 NPN(이중) 공통 베이스	실장 유형 표면 실장
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) 100mA	패키지/케이스 SC-74A, SOT-753
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) 120V	공급 장치 패키지 SMV
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA	기준 제품 번호 HN4C51
전류 - 콜렉터 차단(최대) 100nA(ICBO)

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