CSD75205W1015 Texas Instruments | 이산 반도체 제품

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사용 가능한 대체품:

직접

Texas Instruments

재고 있음: 14,744

단가 : ₩1,174.00000

보여진 사진은 제품을 대표적으로 묘사하는 사진입니다. 정확한 규격은 제품의 데이터시트에서 확인하셔야 합니다.

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET FET, MOSFET 어레이
제조업체	Texas Instruments
계열	NexFET™
포장	테이프 및 릴(TR)
부품 현황	단종
기술	MOSFET(금속 산화물)
구성	2 P 채널(이중)
FET 특징	논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)	20V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	1.2A
Rds On(최대) @ Id, Vgs	120m옴 @ 1A, 4.5V
Vgs(th)(최대) @ Id	850mV @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	2.2nC(4.5V)
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	265pF @ 10V
전력 - 최대	750mW
작동 온도	-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형	표면 실장
패키지/케이스	6-UFBGA, DSBGA
공급 장치 패키지	6-DSBGA(1x1.5)
기준 제품 번호	CSD75205