Name: TSM60NE110CE RVG
Brand: Taiwan Semiconductor Corporation
SKU: 1801-TSM60NE110CERVGTR-ND
Price: 10100 KRW
Availability: InStock

신제품

N채널 600 V 27A(Tc) 178W(Tc) 표면 실장 8-PDFN(8x8)

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TSM60NE110CE RVG
DigiKey 제품 번호	1801-TSM60NE110CERVGTR-ND - 테이프 및 릴(TR) 1801-TSM60NE110CERVGCT-ND - 컷 테이프(CT) 1801-TSM60NE110CERVGDKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Taiwan Semiconductor Corporation
제조업체 제품 번호	TSM60NE110CE RVG
제품 요약	600V, 27A, SINGLE N-CHANNEL HIGH
제조업체 표준 리드 타임	14주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 600 V 27A(Tc) 178W(Tc) 표면 실장 8-PDFN(8x8)
규격서	규격서

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
제조업체	Taiwan Semiconductor Corporation
계열	-
포장	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®
부품 현황	활성
FET 유형	N채널
기술	MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss)	600 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	27A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)	10V, 12V
Rds On(최대) @ Id, Vgs	105m옴 @ 9A, 12V
Vgs(th)(최대) @ Id	6V @ 2.5mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	56 nC @ 10 V
Vgs(최대)	±30V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	2306 pF @ 300 V
FET 특징	-
내전력(최대)	178W(Tc)
작동 온도	-55°C ~ 150°C(TJ)
등급	-
인증	-
실장 유형	표면 실장
공급 장치 패키지	8-PDFN(8x8)
패키지/케이스	8-VDFN 노출형 패드