Name: TSM60NE160CE RVG
Brand: Taiwan Semiconductor Corporation
SKU: 1801-TSM60NE160CERVGTR-ND
Price: 8271 KRW
Availability: InStock

신제품

N채널 600 V 21A(Tc) 173W(Tc) 표면 실장 5-PDFN(8x8)

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TSM60NE160CE RVG
DigiKey 제품 번호	1801-TSM60NE160CERVGTR-ND - 테이프 및 릴(TR) 1801-TSM60NE160CERVGCT-ND - 컷 테이프(CT) 1801-TSM60NE160CERVGDKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Taiwan Semiconductor Corporation
제조업체 제품 번호	TSM60NE160CE RVG
제품 요약	600V, 21A, SINGLE N-CHANNEL HIGH
제조업체 표준 리드 타임	14주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 600 V 21A(Tc) 173W(Tc) 표면 실장 5-PDFN(8x8)
규격서	규격서

제품 특성

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종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 6V @ 2mA
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 42 nC @ 10 V
포장 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	Vgs(최대) ±30V
부품 현황 활성	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 1618 pF @ 300 V
FET 유형 N채널	내전력(최대) 173W(Tc)
기술 MOSFET(금속 산화물)	작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ)
드레인 - 소스 전압(Vdss) 600 V	실장 유형 표면 실장
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 21A(Tc)	공급 장치 패키지 5-PDFN(8x8)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V, 12V	패키지/케이스 5-VDFN 노출형 패드
Rds On(최대) @ Id, Vgs 155밀리옴 @ 7A, 12V