STSJ100NH3LL STMicroelectronics | 이산 반도체 제품

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사용 가능한 대체품:

유사

Vishay Siliconix

재고 있음: 1,518

단가 : ₩4,942.00000

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제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
제조업체	STMicroelectronics
계열	STripFET™ III
포장	테이프 및 릴(TR)
부품 현황	단종
FET 유형	N채널
기술	MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss)	30 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	100A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)	4.5V, 10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs	3.5m옴 @ 12.5A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id	1V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	40 nC @ 4.5 V
Vgs(최대)	±16V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	4450 pF @ 25 V
FET 특징	-
내전력(최대)	3W(Ta), 70W(Tc)
작동 온도	150°C(TJ)
등급	-
인증	-
실장 유형	표면 실장
공급 장치 패키지	8-SOIC-EP
패키지/케이스	8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) 노출형 패드
기준 제품 번호	STSJ100N