STS4C3F60L STMicroelectronics | 이산 반도체 제품

STS4C3F60L은(는) 단종되었으며 더 이상 제조되지 않습니다.

사용 가능한 대체품:

유사

onsemi

재고 있음: 27,692

단가 : ₩1,925.00000

유사

Infineon Technologies

재고 있음: 31,902

단가 : ₩2,337.00000

유사

Diodes Incorporated

재고 있음: 345

단가 : ₩2,675.00000

유사

Diodes Incorporated

재고 있음: 0

단가 : ₩977.08960

보여진 사진은 제품을 대표적으로 묘사하는 사진입니다. 정확한 규격은 제품의 데이터시트에서 확인하셔야 합니다.

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET FET, MOSFET 어레이
제조업체	STMicroelectronics
계열	STripFET™
포장	테이프 및 릴(TR)
부품 현황	단종
기술	MOSFET(금속 산화물)
구성	N 및 P 채널
FET 특징	논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)	60V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	4A, 3A
Rds On(최대) @ Id, Vgs	55m옴 @ 2A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id	1V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	20.4nC(4.5V)
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	1030pF @ 25V
전력 - 최대	2W
작동 온도	-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형	표면 실장
패키지/케이스	8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)
공급 장치 패키지	8-SOIC
기준 제품 번호	STS4C