Name: STB10N60M2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STB10N60M2TR-ND
Price: 3975 KRW
Availability: InStock

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STB10N60M2
DigiKey 제품 번호	497-STB10N60M2TR-ND - 테이프 및 릴(TR) 497-STB10N60M2CT-ND - 컷 테이프(CT) 497-STB10N60M2DKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	STMicroelectronics
제조업체 제품 번호	STB10N60M2
제품 요약	MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK
제조업체 표준 리드 타임	18주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 600 V 7.5A(Tc) 85W(Tc) 표면 실장 TO-263(D2PAK)
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	STB10N60M2 모델

제품 특성

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빈 특성 표시

종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 4V @ 250µA
제조업체 STMicroelectronics	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 13.5 nC @ 10 V
계열 MDmesh™ II Plus	Vgs(최대) ±25V
포장 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 400 pF @ 100 V
부품 현황 활성	내전력(최대) 85W(Tc)
FET 유형 N채널	작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ)
기술 MOSFET(금속 산화물)	실장 유형 표면 실장
드레인 - 소스 전압(Vdss) 600 V	공급 장치 패키지 TO-263(D2PAK)
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 7.5A(Tc)	패키지/케이스 TO-263-3, D2PAK(2리드 + 탭), TO-263AB
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V	기준 제품 번호 STB10
Rds On(최대) @ Id, Vgs 600m옴 @ 3A, 10V

제품 정보 오류 보고

문서 및 미디어

환경 및 수출 등급 분류

추가 리소스

대체품(8)

부품 번호	제조업체	주문 가능 수량	DigiKey 제품 번호	단가	대체품 유형
IRFS9N60APBF	Vishay Siliconix	20	IRFS9N60APBF-ND	₩7.12000	유사
IRFS9N60ATRLPBF	Vishay Siliconix	845	IRFS9N60ATRLPBFCT-ND	₩7.12000	유사
IRFS9N60ATRRPBF	Vishay Siliconix	800	742-IRFS9N60ATRRPBFCT-ND	₩7.12000	유사
IXFA10N60P	IXYS	113	IXFA10N60P-ND	₩9.01000	유사
IXFA14N60P	IXYS	90	IXFA14N60P-ND	₩10.41000	유사

재고: 203

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테이프 및 릴(TR)

제조업체 표준 포장

STB10N60M2