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사용 가능한 대체품:

유사


GeneSiC Semiconductor
재고 있음: 1,036
단가 : ₩330.00000
규격서

유사


Microchip Technology
재고 있음: 57
단가 : ₩218.00000
규격서

유사


Taiwan Semiconductor Corporation
재고 있음: 300
단가 : ₩472.00000
규격서

유사


Taiwan Semiconductor Corporation
재고 있음: 295
단가 : ₩373.00000
규격서

유사


Taiwan Semiconductor Corporation
재고 있음: 275
단가 : ₩329.00000
규격서
TO-247-3
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SCTW35N65G2V

DigiKey 제품 번호
497-SCTW35N65G2V-ND
제조업체
제조업체 제품 번호
SCTW35N65G2V
제품 요약
SICFET N-CH 650V 45A HIP247
고객 참조 번호
제품 세부 정보
N채널 650 V 45A(Tc) 240W(Tc) 스루홀 HiP247™
규격서
 규격서
EDA/CAD 모델
SCTW35N65G2V 모델
제품 특성
유형
제품 요약
모두 선택
종류
제조업체
계열
-
포장
튜브
부품 현황
최종 구매 가능일
FET 유형
기술
드레인 - 소스 전압(Vdss)
650 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
18V, 20V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
67m옴 @ 20A, 20V
Vgs(th)(최대) @ Id
5V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
73 nC @ 20 V
Vgs(최대)
+22V, -10V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
1370 pF @ 400 V
FET 특징
-
내전력(최대)
240W(Tc)
작동 온도
-55°C ~ 200°C(TJ)
등급
자동차
인증
AEC-Q101
실장 유형
스루홀
공급 장치 패키지
HiP247™
패키지/케이스
기준 제품 번호
Product Questions and Answers

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구매 가능한 마지막 날짜
구매 가능한 마지막 날짜: 2026. 2. 15.
모든 가격은 KRW 기준입니다.
튜브
수량 단가 총액
600₩10,799.04167₩6,479,425
참고: DigiKey 부가 가치 서비스로 인해, 표준 패키지보다 적은 수량으로 제품을 구매할 경우 포장 유형이 변경될 수 있습니다.