Name: SCTL35N65G2V
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCTL35N65G2VTR-ND
Price: 23842 KRW
Availability: InStock

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SCTL35N65G2V
DigiKey 제품 번호	497-SCTL35N65G2VTR-ND - 테이프 및 릴(TR) 497-SCTL35N65G2VCT-ND - 컷 테이프(CT) 497-SCTL35N65G2VDKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	STMicroelectronics
제조업체 제품 번호	SCTL35N65G2V
제품 요약	TRANS SJT N-CH 650V PWRFLAT HV
제조업체 표준 리드 타임	16주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 650 V 40A(Tc) 417W(Tc) 표면 실장 PowerFlat™(8x8) HV
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	SCTL35N65G2V 모델

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
제조업체	STMicroelectronics
계열	-
포장	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®
부품 현황	활성
FET 유형	N채널
기술	SiCFET(실리콘 카바이드)
드레인 - 소스 전압(Vdss)	650 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	40A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs	67m옴 @ 20A, 20V
Vgs(th)(최대) @ Id	5V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	73 nC @ 20 V
Vgs(최대)	+22V, -10V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	1370 pF @ 400 V
FET 특징	-
내전력(최대)	417W(Tc)
작동 온도	-55°C ~ 175°C(TJ)
등급	-
인증	-
실장 유형	표면 실장
공급 장치 패키지	PowerFlat™(8x8) HV
패키지/케이스	4-PowerVDFN
기준 제품 번호	SCTL35