Name: SCT025W120G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCT025W120G3AG-ND
Price: 28971 KRW
Availability: InStock

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SCT025W120G3AG
DigiKey 제품 번호	497-SCT025W120G3AG-ND
제조업체	STMicroelectronics
제조업체 제품 번호	SCT025W120G3AG
제품 요약	AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
제조업체 표준 리드 타임	21주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 1200 V 56A(Tc) 388W(Tc) 스루홀 HiP247™
규격서	규격서

제품 특성

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빈 특성 표시

종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 73 nC @ 18 V
제조업체 STMicroelectronics	Vgs(최대) +18V, -5V
포장 튜브	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 1990 pF @ 800 V
부품 현황 활성	내전력(최대) 388W(Tc)
FET 유형 N채널	작동 온도 -55°C ~ 200°C(TJ)
기술 SiCFET(실리콘 카바이드)	등급 자동차
드레인 - 소스 전압(Vdss) 1200 V	인증 AEC-Q101
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 56A(Tc)	실장 유형 스루홀
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 15V, 18V	공급 장치 패키지 HiP247™
Rds On(최대) @ Id, Vgs 37m옴 @ 25A, 18V	패키지/케이스 TO-247-3
Vgs(th)(최대) @ Id 4.2V @ 5mA