Name: SCT019HU120G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCT019HU120G3AG-ND
Price: 32151 KRW
Availability: OutOfStock

보여진 사진은 제품을 대표적으로 묘사하는 사진입니다. 정확한 규격은 제품의 데이터시트에서 확인하셔야 합니다.

제품 특성

유사 제품 검색

빈 특성 표시

종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 4.2V @ 10mA
제조업체 STMicroelectronics	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 111.2 nC @ 18 V
계열 ECOPACK®	Vgs(최대) +22V, -10V
포장 벌크	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 2789 pF @ 800 V
부품 현황 활성	내전력(최대) 500W(Tc)
FET 유형 N채널	작동 온도 -55°C ~ 175°C(TJ)
기술 SiCFET(실리콘 카바이드)	등급 자동차
드레인 - 소스 전압(Vdss) 1200 V	인증 AEC-Q101
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 90A(Tc)	실장 유형 표면 실장
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 15V, 18V	공급 장치 패키지 HU3PAK
Rds On(최대) @ Id, Vgs 26m옴 @ 40A, 18V	패키지/케이스 TO-263-8, D2PAK(7리드 + 탭), TO-263CA