Name: SCT019H120G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCT019H120G3AG-ND
Price: 17704.727 KRW
Availability: OutOfStock

SCT019H120G3AG은(는) 구매 가능하지만 상시 재고로 확보되어 있지 않습니다.

사용 가능한 대체품:

등가 파라미터

STMicroelectronics

재고 있음: 0

단가 : ₩18,599.38100

등가 파라미터

STMicroelectronics

재고 있음: 0

단가 : ₩32,869.00000

보여진 사진은 제품을 대표적으로 묘사하는 사진입니다. 정확한 규격은 제품의 데이터시트에서 확인하셔야 합니다.

제품 특성

유사 제품 검색

빈 특성 표시

종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 121 nC @ 18 V
제조업체 STMicroelectronics	Vgs(최대) +18V, -5V
포장 벌크	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 3465 pF @ 800 V
부품 현황 활성	내전력(최대) 555W(Tc)
FET 유형 N채널	작동 온도 -55°C ~ 175°C(TJ)
기술 SiCFET(실리콘 카바이드)	등급 자동차
드레인 - 소스 전압(Vdss) 1200 V	인증 AEC-Q101
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 100A(Tc)	실장 유형 표면 실장
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 15V, 18V	공급 장치 패키지 HU3PAK
Rds On(최대) @ Id, Vgs 28m옴 @ 50A, 18V	패키지/케이스 TO-263-8, D2PAK(7리드 + 탭), TO-263CA
Vgs(th)(최대) @ Id 4.2V @ 2.3mA

제품 정보 오류 보고

문서 및 미디어

환경 및 수출 등급 분류

추가 리소스

대체품(2)

부품 번호	제조업체	주문 가능 수량	DigiKey 제품 번호	단가	대체품 유형
SCT020H120G3AG	STMicroelectronics	0	497-SCT020H120G3AG-ND	₩18,599.38100	등가 파라미터
SCT020HU120G3AG	STMicroelectronics	0	497-SCT020HU120G3AGCT-ND	₩32,869.00000	등가 파라미터