Name: SCT040W120G3-4
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCT040W120G3-4-ND
Price: 18008 KRW
Availability: OutOfStock

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SCT040W120G3-4
DigiKey 제품 번호	497-SCT040W120G3-4-ND
제조업체	STMicroelectronics
제조업체 제품 번호	SCT040W120G3-4
제품 요약	SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
제조업체 표준 리드 타임	22주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 1200 V 40A(Tc) 312W(Tc) 스루홀 TO-247-4
규격서	규격서

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
제조업체	STMicroelectronics
계열	*
포장	튜브
부품 현황	활성
FET 유형	N채널
기술	SiCFET(실리콘 카바이드)
드레인 - 소스 전압(Vdss)	1200 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	40A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)	15V, 18V
Rds On(최대) @ Id, Vgs	54m옴 @ 16A, 18V
Vgs(th)(최대) @ Id	4.2V @ 5mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	56 nC @ 18 V
Vgs(최대)	+18V, -5V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	1329 pF @ 800 V
FET 특징	-
내전력(최대)	312W(Tc)
작동 온도	-55°C ~ 200°C(TJ)
등급	-
인증	-
실장 유형	스루홀
공급 장치 패키지	TO-247-4
패키지/케이스	TO-247-4
기준 제품 번호	SCT040