Name: GP3T080A120TS
Brand: SemiQ
SKU: 1560-GP3T080A120TS-ND
Price: 9483 KRW
Availability: InStock

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제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
제조업체	SemiQ
계열	QSiC™
포장	튜브
부품 현황	활성
FET 유형	N채널
기술	SiCFET(실리콘 카바이드)
드레인 - 소스 전압(Vdss)	1200 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	27A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)	18V
Rds On(최대) @ Id, Vgs	100m옴 @ 10A, 18V
Vgs(th)(최대) @ Id	4V @ 5mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	54 nC @ 18 V
Vgs(최대)	+22V, -8V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	1351 pF @ 1000 V
FET 특징	-
내전력(최대)	102W(Tc)
작동 온도	-55°C ~ 175°C(TJ)
등급	-
인증	-
실장 유형	표면 실장
공급 장치 패키지	TSPAK
패키지/케이스	TO-263-8, D2PAK(7리드 + 탭), 변형

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