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GP3T040A120TS

DigiKey 제품 번호
1560-GP3T040A120TS-ND
제조업체
SemiQ
제조업체 제품 번호
GP3T040A120TS
제품 요약
GEN3 1200V 40M SIC MOSFET TSPAK
제조업체 표준 리드 타임
6주
고객 참조 번호
제품 세부 정보
N채널 1200 V 50A(Tc) 158W(Tc) 표면 실장 TSPAK
규격서
 규격서
제품 특성
유형
제품 요약
모두 선택
종류
제조업체
SemiQ
계열
QSiC™
포장
튜브
부품 현황
활성
FET 유형
N채널
기술
SiCFET(실리콘 카바이드)
드레인 - 소스 전압(Vdss)
1200 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
50A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
18V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
52m옴 @ 20A, 18V
Vgs(th)(최대) @ Id
4V @ 10mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
110 nC @ 18 V
Vgs(최대)
+22V, -8V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
2803 pF @ 1000 V
FET 특징
-
내전력(최대)
158W(Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C(TJ)
등급
-
인증
-
실장 유형
표면 실장
공급 장치 패키지
TSPAK
패키지/케이스
TO-263-8, D2PAK(7리드 + 탭), 변형
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재고: 36
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수량
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튜브
수량 단가 총액
1₩12,108.00000₩12,108
36₩6,847.69444₩246,517
108₩5,971.67593₩644,941
504₩5,154.43452₩2,597,835
제조업체 표준 포장
참고: DigiKey 부가 가치 서비스로 인해, 표준 패키지보다 적은 수량으로 제품을 구매할 경우 포장 유형이 변경될 수 있습니다.
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