MOSFET - 어레이 1200V(1.2kV) 102A(Tc) 333W(Tc) 섀시 실장
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GCMX020A120B2H2P

DigiKey 제품 번호
1560-GCMX020A120B2H2P-ND
제조업체
SemiQ
제조업체 제품 번호
GCMX020A120B2H2P
제품 요약
1200V, 20M SIC MOSFET FULL BRIDG
제조업체 표준 리드 타임
22주
고객 참조 번호
제품 세부 정보
MOSFET - 어레이 1200V(1.2kV) 102A(Tc) 333W(Tc) 섀시 실장
규격서
 규격서
제품 특성
유형
제품 요약
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종류
제조업체
SemiQ
계열
QSiC™
포장
박스
부품 현황
활성
기술
실리콘 카바이드(SiC)
구성
4 N채널(풀 브리지)
FET 특징
-
드레인 - 소스 전압(Vdss)
1200V(1.2kV)
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
102A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
28m옴 @ 50A, 20V
Vgs(th)(최대) @ Id
4V @ 20mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
237nC @ 20V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
5600pF @ 800V
전력 - 최대
333W(Tc)
작동 온도
-40°C ~ 175°C(TJ)
등급
-
인증
-
실장 유형
섀시 실장
패키지/케이스
모듈
공급 장치 패키지
-
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